- 리눅스 find 사용 방법find [경로] [옵션] [대상] ex) find . -name "*bias*" 현재 위치에서 이름에 bias가 들어가는 모든 파일 찾기 [옵션] P : 심볼릭 링크를 따라가지 않고, 심볼릭 링크 자체 정보 사용 L : 심볼릭 링크에 연결된 파일 정보 사용 H : 심볼릭 링크를 따라가지 않으나, Command Line Argument를 처리할 땐 예외 D : 디버그 메시지 출력 [표현식] name : 해당 이름 파일 검색 type : 해당 타입 파일 검색 user : 해당 유저의 파일 검색 empty : 빈 디렉토리나 크기가 0인 파일 검색 delete : 해당 파일이나 디렉토리 삭제 exec : 해당 파일에 지정된 명령 실행 path : 지정된 문자열 패턴에 해당하는 경로..

원래는 증착(Deposition)에 대해 쓰려고 했는데 세정공정에 대한 글을 먼저 쓰기로 했습니다. 포토 - 식각(Etch) - 세정(Cleaning)은 '포에클'이라고 묶어서 부르는데요, 관련 부서는 지인짜 빡세다고 합니다. 제가 연구실에서 포토장비인 얼라이너 담당자 역할을 했었는데요, 쉽지 않긴 했습니다 ㅠㅠ Cleaning은 웨이퍼 표면의 파티클이나 유기오염물, 또는 금속불순물을 제거하는 과정입니다. 이를 통해 칩 불량을 줄이기 때문에 굉장히 중요한 공정이라고 할 수 있습니다. - 습식세정 대부분의 습식세정은 1970년대에 소개된 RCA 세정을 기본으로 하고 있습니다. 이는 과산화수소 용액을 기본으로 하고 있는데요, SC-1 방법과 SC-2 방법이 있습니다. 염기성 용액을 사용하는 SC-1 세정은 ..

- Lift off 과정Lift-off 공정은 다음과 같은 순서로 진행됩니다.포토공정을 통한 패터닝패터닝 된 substrate 위에 증착PR 제거 (lift-off) 저희는 증착까지 완료된 substrate를 아세톤 용액에 담가 PR을 날리는 방식을 lift-off를 진행했습니다. Lift-off 과정에서는 Negative PR을 사용하는 것이 좋은데요, 그 이유는 PR profile 때문입니다. 그러면 lift-off 방식으로 패터닝을 할 때 profile에 어떤 문제가 발생할 수 있는지 알아보겠습니다. - Lift off 이슈 아세톤으로 PR을 날리기 전 상황인데요, PR의 종류에 따라 포토공정 후 위와 같은 profile을 보입니다. Positive PR의 경우 PR 벽면에도 증착이 되어 실제 wa..

Expose 후 Develop 전에 baking 처리를 하는데 이를 Post-expose baking(PEB)라고 합니다. 포토공정 과정 중에 있는 3번의 baking 중에 제 경험상 PEB가 가장 민감했는데 그 이유는 PR profile에 영향을 주기 때문입니다. 위 사진은 포토공정 후 Profile을 SEM으로 찍은 사진입니다. 왼쪽의 경우 패터닝 된 1um PR 위에 TiN 60nm를 증착한 사진입니다. 벽면이 매우 불규칙한 것을 확인할 수 있는데요, 여러 가지 원인이 있지만 그중 하나가 PR 벽면이 안정하지 않았기 때문입니다. 오른쪽 사진은 PEB 처리를 제대로 하지 않았을 때의 PR Profile입니다. 굉장히 울퉁불퉁한데요, 그 이유는 standing wave 때문입니다. - Standing ..

건식식각은 미세패턴에서도 사용 가능하고 진공 분위기에서 진행되기 때문에 웨이퍼 오염이 되지 않는다는 장점이 있지만, 여러 가지 이슈가 존재합니다. - 식각 속도(Etch rate) 식각을 얼마나 빠르게 진행할 수 있는지를 의미합니다. 당연히 Etch rate이 빠를수록 생산성이 좋습니다. Etch rate은 반응에 필요한 gas의 종류와 gas flow, 그리고 플라즈마화 했을 때 이온의 에너지로 컨트롤할 수 있습니다. 또한 습식식각에 비해 적긴 하지만 undercut이 발생하는데(Etch bias) 미세패턴에서는 중요한 요인이기 때문에 이것도 고려해야 할 사항입니다. - 선택비(Selectivity) 건식식각에는 화학반응을 통한 식각뿐 아니라 플라즈마를 통한 물리적인 식각도 발생합니다. 그래서 제거하려..

식각공정(Etching)은 포토공정을 통해 패터닝을 한 뒤 정의된 부분의 박막을 제거하는 공정입니다. 식각공정을 통해 웨이퍼에 회로를 만들어낼 수 있습니다. 물론 Lift-off나 Damascene 방법을 통해 원하는 박막 형상을 만들 수 있지만, Lift-off 방식은 미세한 패턴을 만들기 어렵기 때문에 연구실 수준에서만 사용하고 Trench를 만들어 원하는 박막을 만드는 Damascene 방식은 CMP 공정을 추가로 해야 하기 때문에 공정을 최적화하기 위해 식각 공정을 주로 사용합니다. 저는 연구 활동 중에는 Lift-off 방법으로 패터닝을 했는데, 이에 대한 이슈는 다음 글을 참조하시면 되겠습니다. 2023.07.31 - [etc./반도체 공정] - Lift-off 이슈 설명 Lift-off 이슈..

지난 글에서 노광 방식과 노광에 사용하는 자외선 파장에 대해 설명했는데요, 패턴의 정밀도가 높아질수록 짧은 파장의 빛을 사용한다고 했습니다. 그 이유에 대해 알아보겠습니다. - Resolution 포토공정에서 가장 중요한 것은 분해능(resolution)이라고 할 수 있습니다. Resoltion은 패터닝 시 구분할 수 있는 최소 패턴 크기라고 할 수 있는데요, 이는 다음과 같은 수식으로 표현할 수 있습니다. 공정계수는 PR의 특성 개선, 공정 최적화, 마스크 패턴 개선(OPC 등)을 통해 향상시킬 수 있습니다. 수식에서 알 수 있듯이 자외선 파장이 짧아질수록 Res값이 작아지고, 이는 더 작은 패턴도 구분할 수 있다는 것을 의미합니다.(정밀도 향상) - DOF 위의 그림에서 알 수 있듯이 광학계(렌즈)를..

UART(Universal asynchronous receiver/transmitter) 통신은 이전에 설명드린 I2C나 SPI와 달리 동기 신호(clock)를 사용하지 않는 프로토콜입니다. 비동기화 통신은 동기화 통신보다 전송 속도가 느린데, 어떤 차이가 있을까요?? - 장점 클럭을 쓰지 않기 때문에 클럭 핀이 필요 없고 1:1 통신이어서 address phase나 slave select 핀이 필요 없다. 데이터 송수신하는 2개의 핀만 사용 Tx, Rx가 나뉘어져 있어서 전이중 통신 지원 오랫동안 사용되었기에 복잡하지 않고 관련 문서도 잘 정리되어 있음, 많은 장치가 UART 지원 - 단점 클럭을 사용하지 않기 때문에 느린 속도, 1:1 통신 통신을 위해 전송속도(baud rate)를 잘 맞춰줘야 하고..

블로그 새로 개설했습니다https://rtlearner.com/rram-1-mechanism/ RRAM에 대하여 - 1 작동 원리 - RTLearnerReRAM이라고도 하는 RRAM(Resistive Random Access Memory)는 memristor의 한 종류라고 할 수 있습니다. 이 글에서는 차세대반도체 중 하나이 이 소자에 대해 알아보겠습니다.rtlearner.com

- 노광 방법 자외선을 사용하는 기본적인 노광 공정 장비에는 크게 세 가지 노광 방법이 있습니다. Contact aligner Proximity aligner Projection aligner 초창기에 사용했던 노광 방법인 Contact aligner와 Proximity aligner는 마스크와 wafer 사이의 간격에 의해 구분됩니다. Contact aligner 방식의 경우, 마스크와 wafer가 가까이 붙어있어 빛의 회절에 영향을 잘 받지 않는다는 장점이 있지만 마스크가 PR에 오염됩니다. 그래서 마스크의 수명이 단축된다는 단점이 있습니다. 이러한 방법은 연구실에서만 사용을 하는데요, 저희 연구실에서도 Contact aligner 방식으로 노광을 했습니다. 그래서 매번 마스크를 아세톤이나 에탄올로 ..