- CVD, Chemical Vapor Deposition CVD는 고진공에서 증착을 진행하는 PVD와 달리 대기압이나 중진공(100~10-1Pa)에서 증착을 진행합니다. 챔버에 반응성 가스를 주입하면 기판에 붙고, 열과 플라즈마 등을 통해 에너지를 통해 화학반응을 일으켜 박막을 형성합니다. 반응성 가스가 챔버 내에서 기판 표면 위에 일정한 속도로 흐른다. 기판 표면에서 마찰로 인해 가스가 흐르는 속도가 0으로 줄어드는데 이를 정체층(boundary layer)이라고 한다. 정체층의 가스는 웨이퍼에 흡착되어 가스 농도가 낮아지고 농도가 높은 주변에서 가스가 계속 정체층으로 유입되어 기판 표면에 공급된다. 기판 표면의 화학반응으로 인해 박막이 증착되고 생성물은 챔버 밖으로 배출된다. CVD 공정의 장단점 ..

- PVD, Phisical Vapor Deposition PVD에는 다음과 같은 장점이 있습니다. 고진공 상태에서 화학반응 없이 증착하기 때문에 다양한 물질을 소스로 사용할 수 있음 기판 온도를 자유롭게 조절할 수 있음. 이외에도 진공도나 전압등의 조절 가능한 변수가 많음 고진공 환경에서 증착하기 때문에 particle 같은 오염이 적음 다만 CVD 대비 step coverage나 박막 균일도가 좋지 못하다는 단점이 있습니다. Evaporation Evaporation에는 크게 열을 이용하는 Thermal evapoator와 전자빔을 사용하는 e-beam evaporator가 있습니다. 고진공(~10-6 torr)분위기에서 진행되는 thermal evaporation 증착은 소스 물질이 열에 의해 기화..

박막공정이라고도 하는 증착공정은 웨이퍼 위에 얇고 균일한 박막(1um 이하 두께의 막)을 증착하는 과정으로, 크게 물리적 기상증착인 PVD(Phisical Vapor Deposition)와 화학기상증착인 CVD(Chemical Vapor Deposition)로 나뉩니다. PVD는 고진공 상태에서 증착하려는 물질 소스에 에너지를 가해 기화시켜 기판에 증착시키는 Evaporation 방법과 소스 타겟에 플라즈마 이온을 강하게 충돌시켜 소스 원자가 튀어나와 기판에 증착시키는 Sputtering 방법을 주로 사용합니다. CVD는 기체 상태의 소스 물질을 기판으로 이동시켜 박막에 증착하는 방법입니다. 주로 열과 플라즈마 등의 에너지를 가해 화학반응을 일으킵니다. PVD CVD 장점 저온, 안전한 공정 고진공 환경..